Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 42А; 179Вт; TO247AC

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIHG20N50E-GE3
240,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHG20N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 92нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 184мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 42А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; SMD; TQFP64; PIC24; лоток; 8кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 64кБ; SMD; TQFP64; PIC24; лоток; 8кБSRAM

347,19 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); Phase locked loop; PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; JTAG; LIN; PWM; SMBus; SPI x2; UART x2
Connector: pin strips; male; data; PIN: 10; soldering; BERGSTIK
Connector: pin strips; male; data; PIN: 10; soldering; BERGSTIK

24,20 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
2,972мм
Електричний монтаж:
паяння
Недоступний
Резистор: thin film; 493Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 493Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

13,94 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,6В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3,6В

8,87 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вихідна напруга:
3,6В
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
1,7...5,5В
Блок живлення: імпульсний; плагін,мережевий,штепсельний; 9ВDC
Блок живлення: імпульсний; плагін,мережевий,штепсельний; 9ВDC

722,88 грн

Вид блоку живлення:
мережевий; плагін; штепсельний
Вид вихідного з'єднання:
5,5/2,1
Вихідна напруга:
9В DC
Відповідність стандарту:
Energy efficiency Level VI
Недоступний
Резистор: thin film; 23,2кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 23,2кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,48 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт

415,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF

496,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO3PF