Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,5А; Idm: 10А; 50Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,5А; Idm: 10А; 50Вт
Brand: VISHAY
SKU: IRF820ASPBF
Price: 112.77 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: IRF820ASPBF

112,77 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IRF820ASPBF

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Заряд затвора:

17нКл

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

500В

Опір в стані провідності:

3Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

50Вт

Струм стока:

2,5А

Струм стоку в імпульсі:

10А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; 3A; 250V

52,58 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
THT

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DFN8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
94нКл

Корпус:
TO263-7

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
5,9нКл

Монтаж:
SMD

Напруга сток-джерело:
20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
59нКл

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
17,3нКл

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
D3PAK; TO268