Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 400Вт; TO268; 300нс

Немає в наявності
Код товару: IXTT26N50P
593,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT26N50P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 65нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,23Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 26А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 300нс
Недоступний
Провід; Y-CY-JZ; Y-CY-JZ; 20G0,75мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В
Провід; Y-CY-JZ; Y-CY-JZ; 20G0,75мм2; ПВХ; прозорий; 300В,500В

863,53 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
Y-CY-JZ
Недоступний
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 35,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X5R; ±20%; SMD; 0805

2,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Недоступний
Запобіжник: плавка; NH3; керамічний; вуха під гвинт; 400А; 690ВAC
Запобіжник: плавка; NH3; керамічний; вуха під гвинт; 400А; 690ВAC

5413,08 грн

Вид запобіжника:
керамічний
Відповідність стандарту:
IEC; VDE
Властивості запобіжників:
з вибивним мех-мом
Застосування запобіжників:
захист ліній електропередач
Недоступний
Резистор: thin film; 182кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 182кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кристал; 32,768кГц; SMD; 2x1,2x0,6мм; 7пФ; ±20ppm; -40÷85°C
Кристал; 32,768кГц; SMD; 2x1,2x0,6мм; 7пФ; ±20ppm; -40÷85°C

17,61 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
7пФ
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...85°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В