Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 47А; Idm: 230А; 1,04кВт

Немає в наявності
Код товару: APT75F50B2
892,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT75F50B2
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 290нКл
Корпус: TO247MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,04кВт
Струм стока: 47А
Струм стоку в імпульсі: 230А
Технологія: POWER MOS 8®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -18ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 18ВDC; Uвих.2: -18ВDC

1055,50 грн

Вихідна напруга:
18В DC
Вихідна напруга 2:
-18В DC
Вихідний струм:
165мА
Вхідна напруга:
9...36В DC
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 800В; 45А; Ifsm: 380А; TO247AD; туба
Діод: випрямний; THT; 800В; 45А; Ifsm: 380А; TO247AD; туба

82,36 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
TO247AD
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,2пФ
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 330Ом; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,87 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP