1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 28А; 125Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 28А; 125Вт
Немає в наявності
Код товару: IRF840LCSTRRPBF
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IRF840LCSTRRPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 5,1А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 246кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 246кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; 6,19кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові
Резистор: metal film; 6,19кОм; THT; 125мВт; ±1%; MF; 200В; осьові

0,31 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,85мм
Довжина:
3,5мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В
Резистор: thick film; 187кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; HV; 500В

0,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 5Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; DIP24; THT

971,24 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вхідна напруга:
9...36В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 3,42А; 158Вт; D2PAK

212,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,28А; Idm: 1,5А; 0,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,28А; Idm: 1,5А; 0,3Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 62,5Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 62,5Вт; DPAK

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; 45Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; 45Вт; D2PAK; ESD

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; 110Вт; D2PAK; ESD

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; 70Вт; DPAK; ESD

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,16А; 0,36Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В