Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRF840SPBF
127,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 5,1А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Диференційний вимикач; Iном: 16А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20
Диференційний вимикач; Iном: 16А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; IP20

4522,31 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
4,5кА
Диференціальний струм:
30мА
Імпульсний струм:
250А
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 8,2кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; CQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 35ВDC; Ø5x11мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 33мкФ; 35ВDC; Ø5x11мм

18,37 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
11мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,5%; ERJ6RBD
Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,5%; ERJ6RBD

1,07 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

448,56 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0...600мА
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 101Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Iвих: 4,2А; Iвих.2: 4,2А
Перетворювач: DC/DC; 101Вт; Uвх: 43÷160ВDC; Iвих: 4,2А; Iвих.2: 4,2А

11100,50 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідний струм:
4,2А
Відповідність стандарту:
CE; cURus
Вхідна напруга:
43...160В DC
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S