1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,6А; Idm: 121А; 114Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,6А; Idm: 121А; 114Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SIHP12N50E-GE3
140,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 114Вт
Струм стока: 6,6А
Струм стоку в імпульсі: 121А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: провід-провід; Mini-Fit Jr; прямий; 9А; затискання
Роз’єм: провід-провід; Mini-Fit Jr; прямий; 9А; затискання

0,00 грн

Електричний монтаж:
затискання
Максимальний струм:
9А
Матеріал контакту:
фосфориста бронза
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Резистор: thick film; 232Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 232Ом; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 200А; SEL200B
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 200А; SEL200B

2130,01 грн

Зовнішні розміри:
69x34x60,8мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Макс. струм контактів:
200А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Резистор: thin film; 417Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 417Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

5,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Недоступний
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 20; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT
Підставка: інтегровані схеми; PIN: 20; SIL; 2,54мм; прецизійна; THT

57,02 грн

Використання:
SIL
Властивості підставок:
втулкові контакти; закруглені виводи; можливість зламання для отримання необхідної кількості виводів
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
20
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,5А; 35Вт; SC67

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 49,7А; Idm: 281А; 63,8Вт

485,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220FN
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 30Вт; TO220FP; ESD

141,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 45А; Idm: 245А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 45А; Idm: 245А

610,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
103нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23А; 95Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23А; 95Вт; TO220-3

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 200Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 200Вт; TO247

213,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 5,8А; Idm: 36,8А; 200Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 5,8А; Idm: 36,8А; 200Вт; TO247

380,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD