Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6А; 300Вт; TO247-3; 64нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTH6N50D2
475,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTH6N50D2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збіднений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 64нс
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 6,3ВDC; Ø6,3x5,4мм
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 6,3ВDC; Ø6,3x5,4мм

3,16 грн

Висота:
5,4мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 76,8Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO; прозорий; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; NO; прозорий; LED; IP66

864,80 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP66
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 2,08кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,08кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 100ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 100ВDC; Ø16x25мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 16; CMOS
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий,контролер лінії; Ch: 16; CMOS

101,37 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
буфер; контролер лінії; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
16
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

648,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
29,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт

301,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл