Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 110Вт; TO220-3; ESD

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 7,2А; 110Вт; TO220-3; ESD
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP9NK50Z
Price: 138.75 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: STP9NK50Z

138,75 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

STP9NK50Z

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

TO220-3

Модель:

ESD

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

500В

Опір в стані провідності:

0,85Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

110Вт

Струм стока:

7,2А

Технологія:

SuperMesh™

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
92нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
TO251

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
41,5нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
76нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
89нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
12,5нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
180нКл

Корпус:
TO220-3