1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS138A-TP
6,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS138A-TP
Виробник: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,7нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 2,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

3,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Перехідник різьблення для обтисків; PG16; PG21; латунь; нікель
Перехідник різьблення для обтисків; PG16; PG21; латунь; нікель

86,16 грн

Внутрішня різьба:
PG16
Зовнішня різьба:
PG21
Матеріал корпусу:
латунь
Матеріал покриття:
нікель
Недоступний
Резистор: thick film; 3,48Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,48Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; Iконтактів max: 8А

243,28 грн

Виводи:
для друку; до лютування
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Кількість пін:
8
Кількість режмів роботи:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 13Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 4А
Перетворювач: DC/DC; 13Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 4А

1933,61 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
4А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Додаткові функції:
OFF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD