Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 150мВт; SOT723

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RUM002N05T2L
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: RUM002N05T2L
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT723
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 2,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,15Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 8А

73,49 грн

Alias:
SLD 3.50/04/90 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
26,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 25В; X8L; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 25В; X8L; ±20%; SMD; 0402

2,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8L
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±5%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±5%; CQ; 150В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 340Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

2,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 100В; SMD6
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 100В; SMD6

38,65 грн

Вид виходу:
транзисторний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В

0,08 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 25Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 5500мА
Перетворювач: DC/DC; 25Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 5500мА

3115,18 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
5,5А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268