Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 160мА; Idm: 560А; 200мВт

Немає в наявності
Код товару: DMN55D0UTQ-7
4,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10
Крок додавання: 10
Код товару: DMN55D0UTQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 295нКл
Корпус: SOT523
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,2Вт
Струм стока: 0,16А
Струм стоку в імпульсі: 560А
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 220Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 220Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

13,94 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; CHA; ±0,5пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 50В; CHA; ±0,5пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
CHA
Ємність:
6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3

1732,77 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
3
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Трансформатор: литий; 30ВА; 115ВAC,230ВAC; 18В; 18В; 833мА; 833мА
Трансформатор: литий; 30ВА; 115ВAC,230ВAC; 18В; 18В; 833мА; 833мА

741,26 грн

Виводи вторинної обмотки:
12-14, 17-19
Виводи первинної обмотки:
1-4, 6-9
Вторинна напруга 1:
18В
Вторинна напруга 2:
18В
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 36,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669