Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJA138K-AU_R1_000A1
9,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 1нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 50В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,5А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal film; 464кОм; THT; 500мВт; ±1%; MF; 250В; Ø2,5x6,8мм
Резистор: metal film; 464кОм; THT; 500мВт; ±1%; MF; 250В; Ø2,5x6,8мм

0,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 240Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 240Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Датчик: руху; 220÷240ВAC; IP20; 6м; Діапазон: 10с÷15мин; 1200Вт
Датчик: руху; 220÷240ВAC; IP20; 6м; Діапазон: 10с÷15мин; 1200Вт

608,85 грн

Вид датчика:
інфракрасний
Дальність:
6м
Діапазон контрольованої величини:
3...2000лк
Діапазон підраховування:
10с...15мин
Недоступний
Резистор: thick film; 127Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА
Резистор: thick film; 127Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C; 500мА

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
127Ом
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST-NO; AV; 2A/48ВDC; IP65; 2кВ
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST-NO; AV; 2A/48ВDC; IP65; 2кВ

1087,81 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Електрична стійкість:
100000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2.6mm; GKS-113; steel; 2.25N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 2.6mm; GKS-113; steel; 2.25N; screw-in

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; NQ; 150В
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; NQ; 150В

0,31 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,2А; Idm: 0,4А; 0,15Вт; SC89

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC89
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8