Транзистор: N-MOSFET; польовий; 525В; 2,77А; 70Вт; DPAK; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD5N52K3
94,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD5N52K3
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 525В
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 70Вт
Струм стока: 2,77А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 111В; 1,9А; односпрямована; ±5%; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 111В; 1,9А; односпрямована; ±5%; SMA; SMAJ

3,20 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
SMA
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 54А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 54А; 50Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 500мА; 1Вт; TO39
Транзистор: NPN; біполярний; 100В; 500мА; 1Вт; TO39

840,09 грн

Корпус:
TO39
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
100В
Поляризація:
біполярний
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±5÷15ВDC; DIP8; 6мВ; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 2; ±5÷15ВDC; DIP8; 6мВ; туба

18,37 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
6мВ
Діапазон напруги живлення:
± 5...15В DC
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 12,2÷13,5В; 82,5А; двоспрямована; ±5%; SMC; SMCJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 12,2÷13,5В; 82,5А; двоспрямована; ±5%; SMC; SMCJ

25,98 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
11В
Корпус:
SMC
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; 0603
Конденсатор: керамічний; 1мкФ; 16В; X7R; ±10%; 0603

0,51 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1мкФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 100V

193,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6 Type E
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK; TO263