Транзистор: N-MOSFET; польовий; 525В; 3,8А; 90Вт; DPAK; ESD

Немає в наявності
Код товару: STD7N52K3
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: STD7N52K3
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 525В
Опір в стані провідності: 0,85Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 90Вт
Струм стока: 3,8А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Індикатор: LED; плоска; білий холодний; 3,2ВDC; IP67; 2pin
Індикатор: LED; плоска; білий холодний; 3,2ВDC; IP67; 2pin

1093,51 грн

Виводи:
2pin
Вид індикатора:
плоска
Клас герметичності:
IP67
Колір індикатора:
білий холодний
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц
IC: пам'ять EEPROM; 1кбEEPROM; SPI; 128x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц

14,25 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Діод: TVS; односпрямована; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка
Діод: TVS; односпрямована; SOD323; Ch: 1; ролик,cтрічка

44,35 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Кількість каналів:
1
Корпус:
SOD323
Недоступний
З`єднання: на рейку; PA; L: 42,5мм; затиски: 2; W: 5,2мм; H: 59,5мм
З`єднання: на рейку; PA; L: 42,5мм; затиски: 2; W: 5,2мм; H: 59,5мм

47,52 грн

Висота:
59,5мм
Довжина:
42,5мм
Кількість клем:
2
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Роз’єм: M23; промислова; EPIC® M23P D6 4.5-8.5 OG PLUG
Роз’єм: M23; промислова; EPIC® M23P D6 4.5-8.5 OG PLUG

666,50 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
EPIC® M23P D6 4.5-8.5 OG PLUG
Тип роз’єму:
M23
Теплопровідна прокладка; графітова; L: 51мм; W: 27мм; Thk: 0,2мм
Теплопровідна прокладка; графітова; L: 51мм; W: 27мм; Thk: 0,2мм

115,31 грн

Kind of heat transfer pad:
графітова
Type of heatsink accessories:
heat transfer pad
Діаметр монтажного отвору:
4,6мм
Довжина:
51мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом
Реактор: дротяний; SMD; 47мкГн; 0,72А; R: 0,37Ом

9,69 грн

Властивості дроселів:
велика потужність
Застосування реакторів:
перетворювачі DC/DC
Індуктивність:
47мкГн
Корпус - мм:
0504
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK