Транзистор: N-MOSFET; польовий; 52В; 2,6А; Idm: 10А; 1,69Вт; SOT223

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 52В; 2,6А; Idm: 10А; 1,69Вт; SOT223
Brand: ONSEMI
SKU: NCV8440ASTT1G
Price: 31.36 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: NCV8440ASTT1G

31,36 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 1000

Крок додавання: 1000

Код товару:

NCV8440ASTT1G

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

4,5нКл

Корпус:

SOT223

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±15В

Напруга сток-джерело:

52В

Опір в стані провідності:

0,18Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,69Вт

Струм стока:

2,6А

Струм стоку в імпульсі:

10А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Недоступний

Бажані

Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А

157,75 грн

Alias:
SL 5.08HC/16/180 3.2SN OR BX

Connector family:
роз'єм живлення

Вид роз’єму:
штекерний

Висота:
15,2мм

Недоступний

Бажані

Реле: герконове; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 1,2А; макс.200ВDC; 10Вт

880,64 грн

Електрична стійкість:
1000000000 цикли

Зовнішні розміри:
4,9x15,5x4,9мм

Конфігурація контактів:
SPST-NO

Макс. струм контактів:
1,2А

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 28Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
400В

Корпус - дюйм:
1206

Недоступний

Бажані

Перемикач: кнопковий; Поз: 2; SPST-NC; 0,01A/5ВDC; Підсв: немає

27,75 грн

Виводи:
до лютування

Кількість всіх позицій:
2

Кількість фіксованих позицій:
1

Конфігурація контактів:
SPST-NC

Недоступний

Бажані

Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 19; штекерний; промислова; WF32; 500В

781,17 грн

Connector family:
промислова

Вид роз’єму:
штекерний

Електричний монтаж:
паяння

Зовнішній діаметр проводу:
13...15,6мм

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 12кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
400В

Корпус - дюйм:
1206

Недоступний

Бажані

Лабораторний генератор: сигнальний; 3ГГц; LCD TFT 4,3"; 480x272

233543,75 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 4,3"

Вид модуляції:
AM; FM; PM

Властивості вимірювальних приладів:
технологія Direct Digital Synthesized (DDS)

Інтерфейс:
GPIB (опція); LAN; USB

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,9нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
PowerDI®3333-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
39нКл

Корпус:
TO252AA

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
47нКл

Корпус:
TO263