1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 550В; 12А; Idm: 48А; 90Вт; D2PAK
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STB14NM50N
156,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 550В
Опір в стані провідності: 0,28Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 90Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; 150В; прямий
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; гніздовий; промислова; 150В; прямий

617,71 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
проводи
Застосування - серія/виробник:
581; 680; 682
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 60; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 60; THT; straight

54,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 34G0,5мм2; неекранований
Провід; HELUCONTROL® JZ-620-HMH; JZ; 34G0,5мм2; неекранований

945,26 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,60 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
220пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

1,00 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: цифровий; рація; SOIC20; -55÷85°C; туба
IC: цифровий; рація; SOIC20; -55÷85°C; туба

92,50 грн

Вид об'єднаної схеми:
рація
Вид упаковки:
туба
Корпус:
SOIC20
Робоча температура:
-55...85°C
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; ±1,35÷20ВDC,±2,7÷40ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 1,1МГц; Ch: 2; ±1,35÷20ВDC,±2,7÷40ВDC

63,99 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
low power; rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
1,75мВ
Вхідний поляризаційний струм:
10пА
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23