Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 21А; Idm: 110А; 68Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: IRLZ34NSTRLPBF
22,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IRLZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 55В
Опір в стані провідності: 35мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 68Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 110А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 20кБSRAM; UQFN28; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 128кБ; 20кБSRAM; UQFN28; 3÷3,6ВDC; DSPIC

106,44 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x8; CRC; DMAC x8; FIFO; PPS; PWM; watchdog
Генератор вбудований:
180МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 820кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 464Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 464Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 287кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 287кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6 Type E
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK; TO263