Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: IPD50N06S214ATMA2
35,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD50N06S214ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 55В
Опір в стані провідності: 10,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Ланцюгова напрямна; 3400; Рад.заг: 100мм; L: 1005мм; E2/000
Ланцюгова напрямна; 3400; Рад.заг: 100мм; L: 1005мм; E2/000

6793,60 грн

Внутрішня висота:
45мм
Внутрішня ширина:
115мм
Довжина:
1005мм
Зовнішня висота:
64мм
Кабель; кабель; ПВХ; 3м; чорний; Iробочий max: 16А; 250ВAC; PIN: 3
Кабель; кабель; ПВХ; 3м; чорний; Iробочий max: 16А; 250ВAC; PIN: 3

753,30 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
VDE
Діаметр жили:
16AWG
Довжина кабелю:
3м
Недоступний
Резистор: thick film; 1,5Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 1,5Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; CQ; 200В

1,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 6x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 6x22AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

24337,97 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 2094; UL CM
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,3пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

18,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,3пФ
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 27В; SMD; 2мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 5Вт; 27В; SMD; 2мкА; ролик,cтрічка

1399,52 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
27В
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23