Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,26А; 45Вт; DPAK; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STD2LN60K3
12,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STD2LN60K3
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DPAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 45Вт
Струм стока: 1,26А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 100V

144,45 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 933МГц; FBGA78; 0÷95°C
IC: пам'ять DRAM; 1ГбDRAM; 128Мx8бит; 933МГц; FBGA78; 0÷95°C

226,18 грн

Вид пам’яті:
DDR3L; DRAM; SDRAM
Корпус:
FBGA78
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
1,283...1,45В
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 75А; DO15,DO204AC; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 75А; DO15,DO204AC; Ammo Pack

5,13 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 350В; 120мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

60,82 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 100кОм; 0201; 50мВт; ±1%
Резистор: thick film; 100кОм; 0201; 50мВт; ±1%

0,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
IC: рація Ethernet; full duplex,MII; LQFP64; 10/100Base-T; 3,3В
IC: рація Ethernet; full duplex,MII; LQFP64; 10/100Base-T; 3,3В

238,85 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
MAC; PHY
Інтерфейс:
full duplex; MII
Категорія Ethernet:
10/100Base-T
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; 2,2нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT; ±10%

0,00 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
мають ефект самовідновлення; низький коефіцієнт втрат
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD