Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А; 25Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: STF16N60M2
107,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STF16N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,32Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 48А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1; Харкт: D
Вимикач максимального струму; 230ВAC; Iном: 2А; Полюси: 1; Харкт: D

687,41 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; SMT; straight

67,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 698кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 698кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
698кОм
Недоступний
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 499Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,48 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 510кОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 510кОм; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 499Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 499Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В