Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; 147Вт; TO220FP

Немає в наявності
Код товару: SIHA14N60E-GE3
89,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHA14N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 147Вт
Струм стока: 13А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; SMT; 3A; 100V

352,26 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Кристал; 30МГц; 8пФ; ±10ppm; ±3ppm/рік; 2,5x2x0,55мм; -20÷70°C
Кристал; 30МГц; 8пФ; ±10ppm; ±3ppm/рік; 2,5x2x0,55мм; -20÷70°C

5,13 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
8пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
2,5x2x0,55мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

1625,70 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,14А
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 732Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 23; SMT; 3A; 250V

89,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
10,1мм
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; NFC; 35Вт; 54÷240ВDC; 75÷400мА
Блок живлення: імпульсний; LED; NFC; 35Вт; 54÷240ВDC; 75÷400мА

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
54...240В DC
Вихідний струм:
75...400мА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,2пФ; 250В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

2,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,2пФ
Транзистор: N-MOSFET; Trench™; польовий; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Trench™; польовий; 100В; 160А; 430Вт; TO220AB

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
132нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 76А; 350Вт; TO247-3; 69нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 76А; 350Вт; TO247-3; 69нс

295,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
97нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 110А; 600Вт; TO247-3; 230нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 110А; 600Вт; TO247-3; 230нс

960,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
linear power mosfet
Заряд затвора:
260нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 150Вт; TO220AB; 34нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 150Вт; TO220AB; 34нс

194,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO220AB; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO220AB; 48нс

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 22А; 350Вт; TO247-3

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 102А; 700Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 102А; 700Вт; TO264

857,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
224нКл
Корпус:
TO264