Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 14А; 300Вт; TO3P; 500нс

Немає в наявності
Код товару: IXTQ14N60P
155,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTQ14N60P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: TO3P
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 14А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 0,5мкс
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC; Iвих: 83мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC; Iвих: 83мА

402,31 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
83мА
Кількість виходів:
2
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 18; SMT; straight

57,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; 1/8 Brick; THT; ККД: 89,5%; Uізол: 2кВ
Перетворювач: DC/DC; 50Вт; 1/8 Brick; THT; ККД: 89,5%; Uізол: 2кВ

6065,64 грн

Вихідна напруга:
5В
Додаткові функції:
дистанційне управління ON/OFF
Захист:
захист від зниженого напруги UVLO; макс. струму OCP; проти короткого замикання OVP
Кількість виходів:
1
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RP; -55÷155°C
Резистор: thin film; 100Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RP; -55÷155°C

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,5м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 12А; Дл: 0,5м

319,31 грн

Довжина проводу:
0,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
чорний
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Недоступний
Резистор: thick film; 56мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 56мОм; 1210; ±1%; -55÷155°C; 100ppm/°C

3,21 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD