Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,4А; 240Вт; PG-TO220-3

Немає в наявності
Код товару: SPP24N60C3
226,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 240Вт
Струм стока: 15,4А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 220Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 220Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,14 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
220Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

6,27 грн

Alias:
KGM31BCG1H181GT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø10x18мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 40ВDC; Ø10x18мм; ±20%

135,58 грн

Виводи:
осьові
Висота:
18мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,13 грн

Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 18нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 18нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

7,10 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
18нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 175мкФ; 1,1кВDC; 32мм; -40÷85°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 175мкФ; 1,1кВDC; 32мм; -40÷85°C

8378,75 грн

Виводи:
гвинти М6
Висота:
130мм
Діаметр:
64мм
Ємність:
175мкФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"
Кабель: до датчиків; PIN: 5; M12 прямий "папа",М12 прямий "мама"

2151,55 грн

Довжина кабелю:
1,4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3