Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; Idm: 63А; 27,8Вт; TO220F

Немає в наявності
Код товару: AOTF15S60L
83,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOTF15S60L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 15,6нКл
Корпус: TO220F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,29Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27,8Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 63А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; PIN: 9
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; PIN: 9

200,84 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
12мм
Довжина:
8,6мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В
Резистор: thick film; 24кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 931кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 931кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Датчик: відстані; лазерний; на відбиття; Дальність: 50÷250мм; IP67
Датчик: відстані; лазерний; на відбиття; Дальність: 50÷250мм; IP67

137396,27 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Вид датчика:
лазерний
Дальність:
50...250мм
Зовнішні розміри:
26x74x55мм
Недоступний
Резистор: thin film; 27,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 27,4кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: D-Sub; PIN: 3; plug; data transfer; straight; soldering
Connector: D-Sub; PIN: 3; plug; data transfer; straight; soldering

462,49 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
3
Колір:
чорний
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 150Вт; 15ВDC; 10А
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування; 150Вт; 15ВDC; 10А

3160,80 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
10А
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 130А; 318Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 130А; 318Вт

1525,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
122нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 6А; 43Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 6А; 43Вт; TO220-3

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; IPAK SL; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; IPAK SL; ESD

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
IPAK SL
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 211Вт; SOT78,TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 211Вт; SOT78,TO220AB

129,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
117нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; 42Вт; IPAK,TO251

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 26А; 50Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 26А; 50Вт; TO220FP

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,12А; 0,5Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,12А; 0,5Вт; TO92

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
Ammo Pack
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT