Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 160мА; Idm: 0,5А; 1Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: VN2460N3-G
75,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VN2460N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 20Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 0,16А
Струм стоку в імпульсі: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: поліестровий; 22нФ; 220ВAC; 630ВDC; 10мм; ±10%; R60
Конденсатор: поліестровий; 22нФ; 220ВAC; 630ВDC; 10мм; ±10%; R60

44,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
4мм
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; angled; 1x4
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 4; THT; angled; 1x4

5,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 22,6Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 22,6Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
PG11; IP68; поліамід; світло-сірий; SKINTOP®; без гайки
PG11; IP68; поліамід; світло-сірий; SKINTOP®; без гайки

65,89 грн

Type of cable gland:
cable
Вид різьблення:
PG
Довжина гвинта:
8мм
Зовнішній діаметр проводу:
4...10мм
Недоступний
Резистор: thin film; 291Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 291Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

2,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Сигналізатор: світлозвуковий; 10÷48ВDC; 10÷48ВAC; синій; IP65
Сигналізатор: світлозвуковий; 10÷48ВDC; 10÷48ВAC; синій; IP65

21638,39 грн

Зовнішні розміри:
Ø146x171мм
Кількість тонів:
32
Клас герметичності:
IP65
Колір:
синій
Недоступний
Резистор: thin film; 1,91кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,91кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

24,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В