Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 21А; 179Вт; D2PAK,TO263

Немає в наявності
Код товару: SIHB155N60EF-GE3
130,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHB155N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 159мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 179Вт
Струм стока: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; без важеля
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 0,1A/30ВDC; без важеля

482,77 грн

Виводи:
проводи; справа
Властивості перемикачів:
без важеля
Довжина відводів:
0,3м
Електрична стійкість:
1000000 цикли
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 3,12А
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 9÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 3,12А

7451,23 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
3,12А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Резистор: thin film; 340кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 340кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 374кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 374кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА

833,76 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

3,75 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 1,3м; вилка; Жили: 5
Кабель: до датчиків; PIN: 5; М12 "папа"; прямий; 1,3м; вилка; Жили: 5

0,00 грн

Довжина кабелю:
1,3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Колір ізоляції:
сірий
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 5А; Idm: 20А; 4,2Вт; SOT223

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20,6нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 1,3Вт; TSOP6

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 6,2А; 2Вт; SO8; ESD

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 20А; Idm: 31,2А; 70Вт

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
20,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 100А; 47,5Вт; TO263

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 36А; 50Вт; TO252

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В