Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 23А; Idm: 69А; 227Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: FCP165N60E
229,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FCP165N60E
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,165Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 227Вт
Струм стока: 23А
Струм стоку в імпульсі: 69А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 167мА
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 9ВDC; Iвих: 167мА

375,70 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вихідна напруга 2:
-9В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82000пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82000пФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0402

7,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 19А; Дл: 0,25м
Вимірювальний провід: одинарний; 60ВDC; 30ВAC; 19А; Дл: 0,25м

437,79 грн

Довжина проводу:
0,25м
Ізоляційний матеріал проводу:
силікон
Колір:
сірий
Конструкція вимірювального проводу:
вилка типа "банан" 4 мм; з обох сторін
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий
Роз’єм: M16; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; 250В; прямий

310,44 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
4
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 84%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 84%

299,04 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
84%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Резистор: thick film; 97,6кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF
Резистор: thick film; 97,6кОм; 0805; 125мВт; ±1%; ERJ6ENF

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 330кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,27 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 300А; 550Вт

1215,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
236нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

829,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
287нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В