1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPP60R125CPXKSA1
311,07 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,125Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 25А
Технологія: CoolMOS™ CP
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; 7,7А; односпрямована; ±10%; DO13; 90пФ
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; 7,7А; односпрямована; ±10%; DO13; 90пФ

2074,89 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
90пФ
Зворотна напруга макс.:
110В
Корпус:
DO13
Недоступний
Резистор: керамічний; 1кОм; THT; 1Вт; ±10%; PCF; 300В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 1кОм; THT; 1Вт; ±10%; PCF; 300В; -40÷200°C

23,00 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16,5мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; SPST-NO; IP67
Мікроперемикач SNAP ACTION; 0,1A/125ВAC; 2A/12ВDC; SPST-NO; IP67

500,51 грн

Виводи:
проводи; справа
Властивості перемикачів:
з важелем, що симулює ролик
Довжина важеля:
16мм
Довжина відводів:
0,3м
18пФ; SMD; ESR: 50Ом; 25МГц; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C; 10мкВт
18пФ; SMD; ESR: 50Ом; 25МГц; Стаб.част: ±30ppm; -40÷85°C; 10мкВт

21,16 грн

Допуск резонаторів:
±20ppm
Ємність:
18пФ
Монтаж:
SMD
Опір ESR:
50Ом
Резистор: дротяний; 15Ом; з радіатором; 50Вт; ±5%; 50ppm/°C; 38,5мм
Резистор: дротяний; 15Ом; з радіатором; 50Вт; ±5%; 50ppm/°C; 38,5мм

85,53 грн

Виводи:
до лютування
Вид резистора:
з радіатором
Допуск:
±5%
Кількість монтажних отворів:
2
Плата: універсальна; прототипна,контактна; W: 62мм; L: 81мм
Плата: універсальна; прототипна,контактна; W: 62мм; L: 81мм

482,13 грн

Довжина:
81мм
К-ть контактних полей:
456
Матеріал:
ABS
Модель плати:
контактна; прототипна
Реле: електромагнітнe; DPDT; K10; PCB; Вив: для друку; 2А
Реле: електромагнітнe; DPDT; K10; PCB; Вив: для друку; 2А

67262,50 грн

Виводи:
для друку
Конфігурація контактів:
DPDT
Монтаж:
PCB
Номінальна напруга котушки:
5В DC
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3