1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFBC40LCPBF
103,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3,9А
Струм стоку в імпульсі: 25А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 442Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 442Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

0,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V

228,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±10%; SG73; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±10%; SG73; 200В

2,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 189кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 189кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 20,5Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20,5Ом; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
20,5Ом
Недоступний
Роз’єм: M8; вилка; гніздовий; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; гніздовий; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67

336,42 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
2м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Резистор: thin film; 21кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 21кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 5,7А; Idm: 36А

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,2кВ; 3А; Idm: 12А

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3