Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 69А; 235Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJMP120N60EC_T0_00001
207,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 235Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 69А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; CQ; 200В

1,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73S; 200В
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73S; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Діод: зенера; 0,2Вт; 6,2В; SMD; SOD323; одиночний діод
Діод: зенера; 0,2Вт; 6,2В; SMD; SOD323; одиночний діод

1,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±10%
Зенерівська напруга:
6,2В
Корпус:
SOD323
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 6,3В; X7R; ±20%; SMD; 1206

7,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
M20; 1,5; IP68; поліамід; сірий; UL94V-2; SKINTOP®; SKINTOP® ST-M
M20; 1,5; IP68; поліамід; сірий; UL94V-2; SKINTOP®; SKINTOP® ST-M

43,08 грн

Type of cable gland:
cable
Вид різьблення:
метрична
Відповідність стандарту:
UL 514B
Довжина:
37мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 205Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 205Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT