Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; 278Вт; PowerPAK® 8x8L

Немає в наявності
Код товару: SIHR120N60EF-T1GE3
192,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIHR120N60EF-T1GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,11Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 31А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Запобіжник: плавка; NH1; промисловий; 125А; 690ВAC; gG,gL
Запобіжник: плавка; NH1; промисловий; 125А; 690ВAC; gG,gL

820,45 грн

Вид запобіжника:
промисловий
Номінальна напруга:
690В AC
Номінальний струм:
0,125кА
Потужність розсіювання:
13Вт
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; OQ; 10А

17,49 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість ліній:
3
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST-NO; 2A/36ВDC; IP65; 12В
Перемикач: антивандальний; Поз: 2; SPST-NO; 2A/36ВDC; IP65; 12В

280,66 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
200000 цикли
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Недоступний
Діод: TVS; 7,13В; 44,6А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 7,13В; 44,6А; двоспрямована; 0,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1120,76 грн

Зворотна напруга макс.:
5,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
7,13В
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 1,5Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 2512; 1,5Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

3,29 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; female; data transfer; soldering
Connector: D-Sub; PIN: 15; plug; female; data transfer; soldering

513,81 грн

Connector family:
data transfer
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
15
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм

2,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263