Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 37,9А; 278Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB60R099C6ATMA1
307,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPB60R099C6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 278Вт
Струм стока: 37,9А
Технологія: CoolMOS™ C6
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: литий; 30ВА; 115ВAC,230ВAC; 18В; 18В; 833мА; 833мА
Трансформатор: литий; 30ВА; 115ВAC,230ВAC; 18В; 18В; 833мА; 833мА

741,26 грн

Виводи вторинної обмотки:
12-14, 17-19
Виводи первинної обмотки:
1-4, 6-9
Вторинна напруга 1:
18В
Вторинна напруга 2:
18В
Недоступний
Резистор: thin film; 36,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 36,5кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Датчик: акселерометр; 3,3ВDC; I2C,SPI; H3LIS200DL; ±100g,±200g
Датчик: акселерометр; 3,3ВDC; I2C,SPI; H3LIS200DL; ±100g,±200g

1028,26 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид виходу:
цифровий
Діапазон вимірювання акселерометра:
±100g; ±200g
Інтегральна схема:
H3LIS200DL
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 200Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 200Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Connector: wire-wire; plug; male/female; data; 20A; PIN: 3; 6.35mm
Connector: wire-wire; plug; male/female; data; 20A; PIN: 3; 6.35mm

12,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний/гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
3
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 8А; 60мОм; -55÷125°C
Реактор: дротяний; SMD; 6,8мкГн; ±20%; 8А; 60мОм; -55÷125°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8