1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 54А; Idm: 216А; 690Вт; TO264

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 54А; Idm: 216А; 690Вт; TO264
Немає в наявності
Код товару: APT6010LLLG
1585,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT6010LLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 150нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 690Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 216А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 6ВDC; Iвих: 167мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 6ВDC; Iвих: 167мА

399,77 грн

Вихідна напруга:
6В DC
Вихідний струм:
0,167А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Зовнішні розміри:
12,7x11,2x6,6мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 250мА

727,32 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Реактор: дротяний; THT; 1,8мГн; Iробочий: 240мА; R: 6,63Ом; ±10%
Реактор: дротяний; THT; 1,8мГн; Iробочий: 240мА; R: 6,63Ом; ±10%

7,60 грн

Виводи:
2pin
Висота:
9,5мм
Діаметр:
7,5мм
Допуск:
±10%
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CQ; 50В

1,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; Cu
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,25м; Cu

69,69 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; CQ; 150В

0,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 40мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 40мА

358,59 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-10В DC
Вихідний струм:
40мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD