Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,2А; Idm: 19А; 82Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD60R650CEAUMA1
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20,5нКл
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,65Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 82Вт
Струм стока: 6,2А
Струм стоку в імпульсі: 19А
Технологія: CoolMOS™ CE
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 1.5A

694,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
9,2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 15Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; односпрямована; SMA; SMAJ

7,60 грн

Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
40...44,2В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 4В; X7T; ±20%; SMD; 0201

15,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 165Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм
Резистор: thick film; 165Ом; ±1%; 3,1x1,6x0,6мм

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,1x1,6x0,6мм
Опір:
165Ом
Резистор: thin film; 20кОм; 0603; PCF; -55÷125°C; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 20кОм; 0603; PCF; -55÷125°C; 25ppm/°C

4,18 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
20кОм
Недоступний
Роз’єм: Jack 3,5мм; штекерний; аудіо відео; прямий; паяння
Роз’єм: Jack 3,5мм; штекерний; аудіо відео; прямий; паяння

178,66 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Покриття контакту:
позолочений
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD