Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6,8А; 61Вт; DPAK,TO252

Немає в наявності
Код товару: IPD60R1K0CEAUMA1
13,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD60R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 61Вт
Струм стока: 6,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0603

1,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Маркер: кабельний; 12,2÷24,4мм; вінил; білий; UL94V-0
Маркер: кабельний; 12,2÷24,4мм; вінил; білий; UL94V-0

15,21 грн

Зовнішній діаметр проводу:
12,2...24,4мм
Клас горючості:
UL94V-0
Колір:
білий
Матеріал:
вінил
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0805; 130мВт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; 0805; 130мВт; ±1%; AC; -55÷155°C

0,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Ключ: шестигранний; Різновид рукоятки: L; HEX 6мм
Ключ: шестигранний; Різновид рукоятки: L; HEX 6мм

416,24 грн

Різновид рукоятки:
L
Розмір грота:
HEX 6мм
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 130кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; SMD4; VO61x
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; 5кВ; SMD4; VO61x

11,40 грн

Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
SMD4
Монтаж:
SMD
Недоступний
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик
Кабель: до датчиків; гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K; пластик

819,82 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD