Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8

Немає в наявності
Код товару: SIHJ10N60E-T1-GE3
186,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIHJ10N60E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 313мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 89Вт
Струм стока: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: компаратор; 20нс; 5÷15В; THT; DIP14; OUT: TTL; 30000000пА
IC: компаратор; 20нс; 5÷15В; THT; DIP14; OUT: TTL; 30000000пА

185,00 грн

Вид виходу:
TTL
Вхідна напруга зміщення нуля:
5мВ
Вхідний поляризаційний струм:
30мкА
Корпус:
DIP14
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; 3A; 250V

17,11 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 0,1А; 250мВт; SOT23
Транзистор: PNP; біполярний; 30В; 0,1А; 250мВт; SOT23

5,07 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
30В
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS; SMD
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS; SMD

19,64 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; 8bit; bus transceiver; octal
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSSOP20
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 0,1мкФ; 600ВDC; ±5%; THT
Конденсатор: мідь-поліпропілен-папір; 0,1мкФ; 600ВDC; ±5%; THT

1618,10 грн

Виводи:
осьові
Висота:
50мм
Діаметр:
24мм
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В
IC: контролер HUB; I2C; VQFN100; лоток; 3,3В

392,80 грн

Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
VQFN100
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 16А; 3LD3; 7,5кВт
Ізоляційний вимикач; Полюси: 3+N; на панель; 16А; 3LD3; 7,5кВт

2470,86 грн

Властивості вимикачів:
з чорною поворотною ручкою
Допоміжні інтегровані контакти:
NO + NC
Кількість полюсів:
3+N
Монтаж:
на панель
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S