Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7,4А; Idm: 22,2А; 28Вт

Немає в наявності
Код товару: FCPF600N60ZL1-F154
169,16 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FCPF600N60ZL1-F154
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 28Вт
Струм стока: 7,4А
Струм стоку в імпульсі: 22,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±5%; SP; 250В; -55÷155°C

11,97 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 115 CY BK; 3G2,5мм2; ПВХ; чорний; CPR: Eca
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 115 CY BK; 3G2,5мм2; ПВХ; чорний; CPR: Eca

338,95 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 99А; 524Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 99А; 524Вт; TO247AC

719,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
228нКл
Корпус:
TO247AC
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 10ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 470мкФ; 10ВDC; ±20%

50,05 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Властивості конденсаторів:
підвищена температура пайки
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 7,2ВDC; DIP24; THT
Перетворювач: DC/DC; 4Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 7,2ВDC; DIP24; THT

912,95 грн

Вихідна напруга:
7,2В DC
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V

242,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
21мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-204; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-204; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
10мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT