Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 700мА; 39Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: TSM1NB60CP ROG
56,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM1NB60CP ROG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка
Заряд затвора: 6,1нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 39Вт
Струм стока: 0,7А
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: цифровий; bus transceiver; Ch: 8; CMOS; 2,7÷3,6ВDC,4,5÷5,5ВDC
IC: цифровий; bus transceiver; Ch: 8; CMOS; 2,7÷3,6ВDC,4,5÷5,5ВDC

79,83 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
bus transceiver
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
8
Кабель; USB 3.0; USB A гніздо,USB A вилка; нікельований; 2м
Кабель; USB 3.0; USB A гніздо,USB A вилка; нікельований; 2м

250,89 грн

Діаметр жили:
30AWG
Довжина кабелю:
2м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB A вилка; USB A гніздо
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм

7,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 60,9В; 7А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 60,9В; 7А; односпрямована; DO214AA,SMB; SMBJ

3,40 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
54В
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 3А; Idm: 12А; 1,25Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3÷14,7В; 30,2А; односпрямована; SMB; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 13,3÷14,7В; 30,2А; односпрямована; SMB; SMBJ

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
12В
Корпус:
SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,4В; 8,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 44,4В; 8,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

13,68 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
40В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт

693,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
60нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,3А; 350мВт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,3А; 350мВт; SOT323

13,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,7нКл
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,68А; 2,2Вт; SOT223

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,2нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 110Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 110Вт; D2PAK; ESD

143,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 150Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 150Вт; D2PAK; ESD

168,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 110Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 110Вт; DPAK; ESD

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,49нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB