Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 166Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: BXP7N60P
36,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXP7N60P
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 1,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 166Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 81,9В; 132,9А; односпрямована; ±5%; P600; 15KPA
Діод: TVS; 15кВт; 81,9В; 132,9А; односпрямована; ±5%; P600; 15KPA

451,72 грн

Вид упаковки:
розсипний
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70В
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; UFBGA100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 80МГц; UFBGA100; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 2

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; TRNG; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; LPUART; QSPI; SAI; SDMMC; SPI; SWPMI; USART
Кількість входів/виходів:
83
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 43пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В
Резистор: thick film; 36Ом; SMD; 2010; 1,25Вт; ±5%; PS; 400В

2,12 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
800В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 77,9÷86,1В; 3,7А; односпрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 77,9÷86,1В; 3,7А; односпрямована; SMA; P4SMA

3,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
70,1В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 10бит; 40Мsps; VQFN64; 1,8ВDC,3,3ВDC
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 10бит; 40Мsps; VQFN64; 1,8ВDC,3,3ВDC

0,00 грн

Інтерфейс:
serial
Кількість каналів:
8
Корпус:
VQFN64
Монтаж:
SMD
Діод: випрямний; THT; 200В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; Ufmax: 1В; 50нс
Діод: випрямний; THT; 200В; 1А; Ifsm: 30А; DO41; Ufmax: 1В; 50нс

1,90 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 38,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 38,5Вт

200,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,19А; Idm: 52А; 130Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,19А; Idm: 52А; 130Вт; TO247

197,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 14А; Idm: 80А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 14А; Idm: 80А; 150Вт

174,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 20А; 60Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 20А; 60Вт; TO220-3

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,8нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39А; Idm: 156А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39А; Idm: 156А; 250Вт

154,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
SOT78; TO220AB