1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,105А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,105А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002Q-7-F
16,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002Q-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 7,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,37Вт
Струм стока: 0,105А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм

401,67 грн

Діаметр отвору:
1мм
Довжина:
160мм
Матеріал:
FR4; епоксидна смола; скловолокно
Модель плати:
одностороння; прототипна
Недоступний
Резистор: thick film; 8,25Ом; SMD; 0805; 333мВт; ±1%; SR73
Резистор: thick film; 8,25Ом; SMD; 0805; 333мВт; ±1%; SR73

1,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; SPDT + NO; 16А
Реле: встановлювальний; бістабільне,імпульсний; SPDT + NO; 16А

3563,11 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Властивості реле:
управління безперервним сигналом
Конфігурація контактів:
SPDT + NO
Модель реле:
бістабільне; імпульсний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,35 грн

Alias:
KGM05ACG1H4R7BH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Резистор: thin film; 542кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 542кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

1,38 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD