Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,15А; Idm: 0,8А; SC70,SOT323

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NX7002BKWX
4,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NX7002BKWX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1нКл
Корпус: SC70; SOT323
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5,7Ом
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,15А
Струм стоку в імпульсі: 0,8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F
Резистор: thick film; 182кОм; SMD; 0603; 330мВт; ±1%; ERJPA3F

0,79 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 152Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 152Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

10,20 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 82кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 82кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 47Ом; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 47Ом; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм

1,11 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3мм
Довжина:
9мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 3,9Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 3,9Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 3,09кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 3,09кОм; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 15В; 0,1А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 15В; 0,1А

10,77 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
15В
Вихідний струм:
0,1А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 11А; Idm: 40А; 122Вт

338,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
26,5нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 220мА; 350мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А
Транзистор: N-MOSFET; 65В; 6А

11160,68 грн

Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
65В
Струм стока:
6А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 10мА

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 90Вт; DPAK

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 10А

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SC74; TSOP6