Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,22А; Idm: 1,2А; 0,42Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002ET1G
8,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002ET1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,81нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,42Вт
Струм стока: 0,22А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: LS1; вилка; PIN: 8(4+4); штекерний; промислова; EPIC; прямий
Роз’єм: LS1; вилка; PIN: 8(4+4); штекерний; промислова; EPIC; прямий

769,77 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Зовнішній діаметр проводу:
8,5...11мм
Недоступний
Провід; EcoGen®; EcoFlex®; 3x26AWG; MPPE; темно-сірий; 600В; 305м
Провід; EcoGen®; EcoFlex®; 3x26AWG; MPPE; темно-сірий; 600В; 305м

130093,93 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; подвійно екранований; фольга Al-PET-Al
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
EcoGen®
Недоступний
Резистор: thick film; 523Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 523Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В; -55÷155°C

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Діод: TVS; 1,5кВт; 20÷22,2В; 51,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 20÷22,2В; 51,4А; двоспрямована; ±5%; DO214AB,SMC

15,84 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
18В
Недоступний
Резистор: metal film; 91кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: metal film; 91кОм; THT; 400мВт; ±1%; 0; 200В; Ш0,5x29мм

9,25 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 50В; X7R; ±5%; SMD; 0402; 180мм

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 5,42кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 5,42кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 95А; Idm: 378А; 64Вт

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,1нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; Idm: 30А; 17Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
22,4нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; 315Вт; H2PAK-2

90,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114,6нКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 228А; 125Вт; PowerPAK® SO8

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
167нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 4Вт; PowerPAK® 1212-8

26,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,3А; Idm: 8А; 42Вт

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; 60Вт; DPAK; ESD

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD