Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7000
23,44 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7000
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,5А
Технологія: DMOS
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 32МГц; SMD; TQFP80; PIC24; 32кБSRAM
IC: мікроконтролер PIC; 256кБ; 32МГц; SMD; TQFP80; PIC24; 32кБSRAM

185,63 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CLC x4; CRC; DMAC x6; HLVD; LCD controller; PoR; RTCC; watchdog
Інтерфейс:
ADC; DAC; FIFO; I2C x3; I2S; IrDA; LIN; PMBus; PPS; RS232; RS485; SPI x4; UART x6; USB OTG
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
10пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 3,6кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 133мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 133мА

534,72 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,133А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Конденсатор: поліпропиленовий; R76; 5,6нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; R76; 5,6нФ; 1,6кВDC; 650ВAC; THT

36,43 грн

Вид матеріалу:
що самогаситься
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
25мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Лезо; 14AWG÷14AWG; 2,5мм2; зняття ізоляції
Лезо; 14AWG÷14AWG; 2,5мм2; зняття ізоляції

9559,06 грн

Використання:
пристрій для зняття ізоляції
Застосування інструментів для обробки проводів:
зняття ізоляції
Переріз проводу:
2,5мм2
Розмір проводу:
14AWG...14AWG
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; X8R; ±10%; SMD; 0603

1,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD