Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTE491
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTE491
Виробник: NTE Electronics
Вид каналу: збагачений
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 1,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: 0,2А
Струм стоку в імпульсі: 0,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 383Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 383Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 32А; червоний; латунь
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 32А; червоний; латунь

95,03 грн

Відповідність стандарту:
CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Загальна довжина:
33мм
Колір:
червоний
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Перетворювач: AC/DC; 1Вт; Uвх: 85÷305ВAC,100÷430ВDC; Uвих: 7,5ВDC
Перетворювач: AC/DC; 1Вт; Uвх: 85÷305ВAC,100÷430ВDC; Uвих: 7,5ВDC

240,75 грн

Вихідна напруга:
7,5В DC
Вихідний струм:
0,133А
Вхідна напруга:
85...305В AC; 100...430В DC
Зовнішні розміри:
33,7x22,2x15мм
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 4ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 4ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C

11,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
B
Patch cord; U/UTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик
Patch cord; U/UTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 5м; тросик

236,95 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
U/UTP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В