1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,7Вт; SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,7Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: DMN6140L-13
20,27 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN6140L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,14Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,7Вт
Струм стока: 1,2А
Струм стоку в імпульсі: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,47Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 1,47Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

43,08 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 1.5A

413,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В
Резистор: thin film; 100кОм; SMD; 0402; 60мВт; ±0,1%; TC; 25В

1,43 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 6,3ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 6,3ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; TAJ

13,62 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; C; 2312; ±10%; -55÷125°C

27,12 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
C
Недоступний
Резистор: thin film; 2,46кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 2,46кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

10,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Захисна кришка; PIN: 54; внутрішній байонет,байонетні; гніздо
Захисна кришка; PIN: 54; внутрішній байонет,байонетні; гніздо

1452,11 грн

Застосування - серія/виробник:
MP-41; MP-4102
Застосування роз’ємів:
гніздо
Кількість пін:
54
Система блокування:
байонетні; внутрішній байонет
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3