1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDN5630
32,31 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDN5630
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: logic level
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: SuperSOT-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 1,7А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 430Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 35ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 33мкФ; 35ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; -55÷125°C

85,53 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
33мкФ
Корпус:
D
Недоступний
Резистор: thin film; 56Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 56Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Модуль автоматики: сигналізатор; Велич.контрол: потік рідини
Модуль автоматики: сигналізатор; Велич.контрол: потік рідини

21440,09 грн

Виводи:
затискна коробка
Вид виходу 1:
SPDT
Вимірювальний діапазон:
3...22,5д/хв
Властивості датчиків:
програмована точка спрацьовування
Недоступний
Резистор: thin film; 18кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 18кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

1,29 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; KS-100; 41,5мм
Вим.акс: гніздо для щупа; Покриття: позолочений; KS-100; 41,5мм

65,26 грн

Використання:
тестові голки
Довжина:
41,5мм
Покриття контакту:
позолочений
Серія виробника:
KS-100
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3