1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 116Вт; VSONP8; 5x6мм

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 116Вт; VSONP8; 5x6мм
Немає в наявності
Код товару: CSD18563Q5AT
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD18563Q5AT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: VSONP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 116Вт
Розміри: 5x6мм
Струм стока: 100А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 101,9м3/г; 47,5дБА
Вентилятор: DC; 80x80x25мм; осьовий; 12ВDC; 101,9м3/г; 47,5дБА

651,29 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 500мВт; 11В; SMD; 1мкА; ролик,cтрічка

3407,89 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
11В
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 100Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 100Ом; 0805; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
100Ом
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 66мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷9ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 66мА

865,43 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
66мА
Вхідна напруга:
4,5...9В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Діод: випрямний; SMD; 150В; 1А; 15нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 920мВ
Діод: випрямний; SMD; 150В; 1А; 15нс; DO214AC,SMA; Ufmax: 920мВ

24,08 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
150В
Кількість в наборі/упаковці:
1800шт.
Недоступний
Резистор: thick film; 806Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 806Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Вентилятор: DC; 40x40x10мм; осьовий; 12ВDC; 13,6м3/г; 27,3дБА
Вентилятор: DC; 40x40x10мм; осьовий; 12ВDC; 13,6м3/г; 27,3дБА

274,96 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK