Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 110мА; Idm: 1А; 0,4Вт; TO92

Немає в наявності
Код товару: 2N7000BU
5,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: 2N7000BU
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,4Вт
Струм стока: 0,11А
Струм стоку в імпульсі: 1А
Технологія: DMOS
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,35мм
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 30А; TO220FP; Ufmax: 0,91В; туба
Діод: випрямний Шотткі; THT; 100В; 30А; TO220FP; Ufmax: 0,91В; туба

120,38 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Кількість в наборі/упаковці:
50шт.
Корпус:
TO220FP
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 40,2Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±5%; CRGH
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±5%; CRGH

1,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реле: електромагнітнe; DPDT; моностабільний; на колодку; 60.12
Реле: електромагнітнe; DPDT; моностабільний; на колодку; 60.12

1454,64 грн

Зовнішні розміри:
36,4x32,5x54,2мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Матеріал контакту:
AgNi
Модель реле:
моностабільний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,6пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO220-3; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2А; 35Вт; TO220FP

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; 150Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; 150Вт; TO247-3

316,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 13А; 33Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 13А; 33Вт; TO220FP

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3

499,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P

536,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
TO3P