Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; Idm: 803А; 293Вт

Немає в наявності
Код товару: BUK963R3-60E,118
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: BUK963R3-60E,118
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 95нКл
Корпус: D2PAK; SOT404
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 7,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 293Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 803А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 37,1÷41В; 28,2А; двоспрямована; DO201AD; 1,5кВт; 1.5KE
Діод: TVS; 37,1÷41В; 28,2А; двоспрямована; DO201AD; 1,5кВт; 1.5KE

43,72 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
33,3В
Корпус:
DO201AD
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 3A; 250V

25,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
6,7мм
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Siemens; chainflex; PUR
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Siemens; chainflex; PUR

19038,92 грн

Engineering PN:
6FX2002-5DG32; 6FX3002-5DG32; 6FX5002-5DG32; 6FX8002-5DG32
Вид кабелю:
servo
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Недоступний
Осердя: феритовий; ETD; N27; 2550нГн; 11500мм3; 125мм2
Осердя: феритовий; ETD; N27; 2550нГн; 11500мм3; 125мм2

88,06 грн

Ефективний об'єм осердя (Ve):
11500мм3
Ефективний переріз осердя (Ae):
125мм2
Коефіцієнт індуктивності AL:
2550нГн
Магнітна проникність:
1500
Резистор: дротяний; 13Ом; цементний; THT; 10Вт; ±5%; Ш0,8x35мм
Резистор: дротяний; 13Ом; цементний; THT; 10Вт; ±5%; Ш0,8x35мм

11,09 грн

Вид резистора:
цементний
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
13Ом
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 82,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 82,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2,7А; Idm: -24А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -60В; -2,7А; Idm: -24А; 1,2Вт

62,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD